拓扑绝缘体表面态的量子输运特性研究

Quantum Transport Properties of Surface States in Topological Insulators

摘要

本文通过低温磁输运测量系统地研究了Bi2Se3拓扑绝缘体薄膜的表面态量子输运特性。实验结果表明，在10K以下温度，样品表现出明显的弱反局域化效应和线性磁阻行为，证实了表面态的存在。通过理论分析，我们提取了表面态的相干长度和自旋轨道耦合强度等关键参数，为拓扑量子器件的设计提供了重要依据。